第2题：  以下关于SRAM和DRAM储存器的叙述中正确的是（）。
A． 与DRAM相比，SRAM集成率低，功率大、不需要动态刷新
B． 与DRAM相比，SRAM集成率高，功率小、需要动态刷新
C． 与SRAM相比，DRAM集成率高，功率大、不需要动态刷新
D．与SRAM相比，DRAM集成率低，功率大、需要动态刷新
答案解析与讨论：www.cnitpm.com/st/5218315003.html

第3题： 为了实现多级中断,保存程序现场信息最有效的方法是使用()。
A．通用寄存器
B．累加器
C．堆栈
D．程序计数器
答案解析与讨论：www.cnitpm.com/st/5218429991.html

第4题： 以下关于RISC 和 CICS的叙述中,不正确的是()。
A．RISC的大多指令在一个时钟周期内完成
B．RISC普遍采用微程序控制器, CICS则普遍采用硬布线控制器
C．RISC的指令种类和寻指方式相对于CICS更少
D．RISC和 CICS都采用流水线技术
答案解析与讨论：www.cnitpm.com/st/5218526873.html