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dram:通过周期性刷新来保持数据，断电丢失；动态随机存取存储器，随时读写，速度快；
sram：静态随机存取存储器，只要保持通电，数据可以保持；
flash：闪存，电信号进行信息的擦除操作；
eeprom：电擦除可编程的只读存储器，可改写；
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dram（dynamic rａｎｄom access memory，动态随机存储器）是最为常见的计算机系统的内部存储器。dram使用电容存储，为了保持数据，必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 sram是英文static ram的缩写，它利用晶体管来存储数据，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。与dram相比，sram的速度快，但是集成度低（即在相同面积中sram的容量要比dram的小）。 eprom（erasable programmable read-only memory，可擦除可编程rom）芯片可重复擦除和写入数据。eprom芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据。eprom内数据的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（vpp=12～24v，随不同的芯片型号而定）。 eeprom（electrically erasable programmable read-only memory，电可擦可编程只读存储器）是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。eeprom可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。它常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据，也常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁”上面。
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